申请/专利权人：厦门三安光电有限公司

申请日：2020-12-28

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN113302758B

主分类号：H01L33/62

分类号：H01L33/62;H01L33/46;H01L33/10

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2021.09.10#实质审查的生效;2021.08.24#公开

摘要：本申请公开了一种高压倒装发光二极管芯片及其制备方法。该高压倒装发光二极管芯片包括多个子芯片和保护层；相邻子芯片之间通过隔离槽间隔，且相邻子芯片之间电性连接；每个子芯片均包括半导体堆叠层，半导体堆叠层包括第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层；保护层覆盖子芯片以及相邻子芯片之间的隔离槽；位于隔离槽处的保护层形成有凹陷区，至少在该高压倒装发光二极管芯片中心区域的凹陷区形成有第三焊盘。本申请在该高压倒装发光二极管芯片的中心区域形成第三焊盘，在顶针作用在该芯片的中心区域时，该第三焊盘能够避免顶针刺破保护层，提高芯片的可靠性。

主权项：1.一种高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，包括：多个子芯片，相邻所述子芯片之间通过隔离槽间隔，且相邻所述子芯片之间电性连接；每个所述子芯片均包括半导体堆叠层，所述半导体堆叠层包括第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层；其中，所述子芯片按顺序定义为第1子芯片、第2子芯片、第n子芯片，n为子芯片的数量；保护层，覆盖所述子芯片以及相邻所述子芯片之间的隔离槽；位于所述隔离槽处的所述保护层形成有凹陷区；位于所述子芯片正上方的所述保护层厚度与位于所述凹陷区侧壁的所述保护层厚度的比值介于1~2，位于子芯片正上方的保护层厚度介于1μm~6μm；凹陷区侧壁处的保护层厚度介于0.50μm~5μm，保护层为分布式布拉格反射镜；第一焊盘，与所述第1子芯片的第一类型半导体层电性连接；第二焊盘，与所述第n子芯片的第二类型半导体层电性连接；第三焊盘，至少位于该高压倒装发光二极管芯片中心区域的所述凹陷区上，所述第三焊盘的面积大于300μm2，所述第三焊盘的厚度介于0.5μm~2.5μm，所述第三焊盘至少覆盖对应凹陷区的底部和侧壁。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 厦门三安光电有限公司 高压倒装发光二极管芯片及其制备方法

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