申请/专利权人：湘能华磊光电股份有限公司

申请日：2021-09-28

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN113851569B

主分类号：H01L33/46

分类号：H01L33/46;H01L33/10;H01L33/20;H01L33/36;H01L33/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2022.01.14#实质审查的生效;2021.12.28#公开

摘要：本申请公开一种倒装Mini‑LED芯片及其制作方法，所述倒装Mini‑LED芯片包括：从一端到另一端依次堆叠形成台阶结构的出光调节层、衬底、接触层、N型半导体层、发光层、P型半导体层和透明导电层；还包括：形成于透明导电层上的P电极，形成于N型半导体层上的N电极，形成于P电极和N电极上的整面的布拉格反射层，形成于布拉格反射层上方且对应N电极的N焊接层，以及形成于布拉格反射层上方且对应P电极的P焊接层；所述出光调节层包括厚度为的金属层。本申请的技术方案能够调节倒装Mini‑LED芯片出光强度，同时金属膜属于全反射膜，不受入射角度的影响，相比于布拉格反射层，光强调节更均匀。另外，因为金属都具有韧性，不会存在崩角的情况。

主权项：1.一种倒装Mini-LED芯片，其特征在于，包括：从一端到另一端依次堆叠形成台阶结构的出光调节层、衬底、接触层、N型半导体层、发光层、P型半导体层和透明导电层；还包括：形成于透明导电层上的P电极，形成于N型半导体层上的N电极，形成于P电极和N电极上的整面的布拉格反射层，形成于布拉格反射层上方且对应N电极的N焊接层，以及形成于布拉格反射层上方且对应P电极的P焊接层；所述出光调节层包括厚度为的金属层；所述出光调节层还包括过渡层，所述过渡层位于金属层和衬底之间，用于增强金属层与衬底之间的附着力；所述过渡层的材料选自HfO2和TiO2中的至少一种；所述过渡层的厚度为所述出光调节层还包括保护层，所述保护层位于金属层表面，用于防止金属层氧化；所述保护层的材料选自SiO2和Si3Nx中的至少一种；所述保护层的厚度为所述布拉格反射层包括：形成于P电极、N电极和透明绝缘层表面的第一SiO2层，形成于第一SiO2层表面的布拉格反射材料层，以及形成于布拉格反射材料层表面的第二SiO2层；所述第一SiO2层的厚度为所述第二SiO2层的厚度为

全文数据：

权利要求：

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