申请/专利权人：苏州浩曦微电子科技有限公司

申请日：2023-09-12

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN220830641U

主分类号：H05K9/00

分类号：H05K9/00;H05K7/20

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权

摘要：本实用新型公开了一种屏蔽芯片信号干扰的散热结构，包括具有第一面和第二面的散热基片，所述第一面上凹设有第一屏蔽腔和第二屏蔽腔，所述第二面在所述第一屏蔽腔的底部以外的区域上间隔设置有若干个凹槽，相邻的两个凹槽之间形成散热鳍片，所述第一屏蔽腔的深度尺寸大于所述第二屏蔽腔的深度尺寸。本实用新型通过在散热基片上设置散热鳍片以及两个具有不同深度的屏蔽腔体，以提高散热基片的散热能力同时降低芯片信号之间的干扰强度，采用一体化设计以减少部件数量，有效提高散热结构的批量生产效率，降低生产组装成本。

主权项：1.一种屏蔽芯片信号干扰的散热结构，包括散热基片1，其特征在于：所述散热基片1具有第一面A和第二面B，所述第一面上凹设有第一屏蔽腔11和第二屏蔽腔12，所述第二面B，在所述第一屏蔽腔11的底部以外的区域上间隔设置有若干个凹槽13，相邻的两个凹槽13之间形成散热鳍片14，所述第一屏蔽腔11的深度尺寸大于所述第二屏蔽腔12的深度尺寸。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州浩曦微电子科技有限公司 屏蔽芯片信号干扰的散热结构

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