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【实用新型】增强芯片散热的屏蔽罩_苏州浩曦微电子科技有限公司_202322464269.2 

申请/专利权人:苏州浩曦微电子科技有限公司

申请日:2023-09-12

公开(公告)日:2024-04-23

公开(公告)号:CN220830642U

主分类号:H05K9/00

分类号:H05K9/00;H05K7/20

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.23#授权

摘要:本实用新型公开了一种增强芯片散热的屏蔽罩,用于屏蔽芯片在信号传输过程中的干扰电磁波,包括屏蔽盖,以及与所述屏蔽盖可拆卸连接的屏蔽框架所述屏蔽盖在朝向所述屏蔽框架的一侧上设有散热凸台,所述屏蔽盖上开设有若干个散热孔,所述散热孔的孔径小于所述干扰电磁波的波长,相邻所述散热孔之间的孔距大于所述孔径的2倍。本实用新型通过在屏蔽盖上设置散热凸台,使散热凸台底部接触芯片,使芯片运行时产生的热量直接传递至屏蔽盖上,减少散热材料使用,降低生产成本,提高电子元件自散热功能,使屏蔽罩具有良好的散热效果,通过设置不超过射频波长的散热孔,在提高电子元件自散热的同时又保证了良好的信号屏蔽功能。

主权项:1.一种增强芯片散热的屏蔽罩,用于屏蔽芯片在信号传输过程中的干扰电磁波,包括屏蔽盖1,以及与所述屏蔽盖1可拆卸连接的屏蔽框架2,其特征在于:所述屏蔽盖1在朝向所述屏蔽框架2的一侧上设有散热凸台11,所述屏蔽盖1上开设有若干个散热孔3,所述散热孔3的孔径小于所述干扰电磁波的波长,相邻所述散热孔3之间的孔距大于所述孔径的2倍。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 苏州浩曦微电子科技有限公司 增强芯片散热的屏蔽罩

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