申请/专利权人：清华大学;北京清华长庚医院

申请日：2021-02-10

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN114910837B

主分类号：G01R33/28

分类号：G01R33/28;G01R33/36;G01R33/56;G01R33/38;A61B5/055

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2022.09.30#实质审查的生效;2022.08.16#公开

摘要：本申请涉及一种磁场增强组件和磁场增强器件，在射频发射阶段，由于所述第二结构电容上的压差较大，所述第二开关控制电路导通。所述第二外接电容被短路。只有所述第三外接电容连接在所述第一电极层和所述第二电极层之间。通过设置合适的所述第三外接电容可以降低或避免所述磁场增强组件所在的回路在射频发射阶段的失谐程度。通过所述第三外接电容可以使在使用所述磁场增强组件时和使用所述磁场增强组件前，磁共振系统中的受测区域磁场强度相同。因此在射频发射阶段，磁共振系统中的受测区域的磁场强度保持前后一致，能够有效降低磁场增强对人体的不良影响。

主权项：1.一种磁场增强组件，其特征在于，包括：第一电介质层（100），包括相对的第一表面（101）和第二表面（102）；第一电极层（110），设置于所述第一表面（101）；第二电极层（120）和第四电极层（140），间隔设置于所述第二表面（102），所述第一电极层（110）分别与所述第二电极层（120）和所述第四电极层（140）在所述第一电介质层（100）的正投影具有重叠部分；第二外接电容（442）、第三外接电容（443）和第二开关控制电路（450），所述第三外接电容（443）的一端与所述第二电极层（120）连接，所述第三外接电容（443）的另一端分别与所述第二外接电容（442）的一端和所述第二开关控制电路（450）的一端连接；所述第二外接电容（442）的另一端和所述第二开关控制电路（450）的另一端分别与所述第一电极层（110）连接；所述第二开关控制电路（450）用于在射频发射阶段导通，在射频接收阶段断开；其中，在所述射频发射阶段，所述第二外接电容（442）被短路，所述第三外接电容（443）连接在所述第一电极层（110）和所述第二电极层（120）之间，通过设置所述第三外接电容（443）以降低所述磁场增强组件所在的回路在所述射频发射阶段的失谐程度；在所述射频接收阶段，所述第二外接电容（442）和所述第三外接电容（443）串联于所述第一电极层（110）和所述第二电极层（120）之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 清华大学;北京清华长庚医院 磁场增强组件和磁场增强器件

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