申请/专利权人：罗姆股份有限公司

申请日：2017-09-29

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN112786591B

主分类号：H01L27/088

分类号：H01L27/088;H01L27/02;H01L23/522;H01L29/423;H01L29/78;H01L29/06

优先权：["20160930 JP 2016-194316","20160930 JP 2016-194317","20170822 JP 2017-159596"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2021.05.28#实质审查的生效;2021.05.11#公开

摘要：本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：增强型第一p沟道型MISFET；增强型第二p沟道型MISFET；与所述第一p沟道型MISFET和所述第二p沟道型MISFET的漏极公共地电连接的漏极导体；与所述第一p沟道型MISFET的源极电连接的第一源极导体；与所述第二p沟道型MISFET的源极电连接的第二源极导体；和与所述第一p沟道型MISFET和所述第二p沟道型MISFET的栅极公共地电连接的栅极导体。由此能够提供常导通型的可实现元件的小型化的半导体器件。

主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，其具有正面和所述正面的相反侧的背面，以及所述正面与所述背面之间的一对长边侧面和一对短边侧面，俯视时为长方形；形成在所述半导体衬底上的MIS晶体管结构；正面绝缘膜，其以至少覆盖所述正面的方式形成在所述半导体衬底上；第一焊盘，其在所述半导体衬底的所述正面侧，配置在沿着所述半导体衬底的一个所述长边侧面的第一周边部的中央部，且与该第一周边部的两个端角部隔开间隔；第二焊盘，其配置在所述半导体衬底的与所述第一周边部相对的第二周边部的一个端角部；和第三焊盘，其配置在所述半导体衬底的所述第二周边部的另一个端角部，所述第一焊盘包括与所述MIS晶体管结构的漏极电连接的漏极焊盘，所述第二焊盘包括与所述MIS晶体管结构的源极电连接的源极焊盘，所述第三焊盘包括与所述MIS晶体管结构的栅极电连接的栅极焊盘，在所述半导体衬底的所述正面描绘以所述第二周边部的一端角部的顶点为中心，以所述半导体衬底的短边的长度W为半径的第一圆弧，和以所述第二周边部的另一端角部的顶点为中心，以所述半导体衬底的短边的长度W为半径的第二圆弧时，所述第一焊盘配置在所述第一圆弧和所述第二圆弧的外侧区域，所述第一圆弧和所述第二圆弧具有在所述半导体衬底上的区域彼此相交的大小，所述第一焊盘形成为以从所述第一圆弧与所述第二圆弧的交点对所述第一圆弧和所述第二圆弧分别画出的一对切线为两条边且该两条边相等的三角形，所述第二焊盘形成为具有与所述第一圆弧相同的中心且具有半径R的扇形，所述第三焊盘形成为具有与所述第二圆弧相同的中心且具有半径R的扇形，其中，R＜W，所述第一焊盘与所述第二焊盘的距离以及所述第一焊盘与所述第三焊盘的距离被确保了要求的长度，所述半导体衬底包括形成有所述MIS晶体管结构的有源区域，所述MIS晶体管结构包括形成为在从所述第一周边部向所述第二周边部去的方向上延伸的条状且交替配置的多个源极区域和漏极区域，所述半导体器件还包括：第一层间膜，其以覆盖所述源极区域和所述漏极区域的方式形成在所述半导体衬底上；和第一源极配线层，其以覆盖所述有源区域的所述第二周边部侧的大致一半的区域的方式形成在所述第一层间膜上，在所述源极区域的所述第二周边部侧的端部与所述源极区域电连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 罗姆股份有限公司 半导体器件

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