申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2023-09-27

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN117917773A

主分类号：H01L27/092

分类号：H01L27/092;H01L23/48

优先权：["20221020 KR 10-2022-0135638","20230217 KR 10-2023-0021495"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.23#公开

摘要：提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：有源图案，在第一方向上延伸；多个栅极结构，在第一方向上间隔开，并且包括在第二方向上延伸的栅电极；源极漏极图案，在相邻的栅极结构之间；硅化物掩模图案，在源极漏极图案上，硅化物掩模图案的上表面低于栅电极的上表面；源极漏极接触件，在源极漏极图案上连接到源极漏极图案；以及接触件硅化物膜，在源极漏极接触件和源极漏极图案之间与硅化物掩模图案的底表面接触，其中，从源极漏极图案的最下面的部分到源极漏极接触件的最下面的部分的高度小于从源极漏极图案的最下面的部分到硅化物掩模图案的底表面的高度。

主权项：1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：有源图案，在第一方向上延伸；多个栅极结构，位于有源图案上并在第一方向上间隔开，所述多个栅极结构中的每个包括在第二方向上延伸的栅电极和位于栅电极的侧壁上的栅极间隔件；源极漏极图案，位于所述多个栅极结构中的相邻的栅极结构之间；硅化物掩模图案，位于源极漏极图案上，硅化物掩模图案包括在第三方向上彼此相对的上表面和底表面，硅化物掩模图案的上表面低于栅电极的上表面；源极漏极接触件，位于源极漏极图案上并且连接到源极漏极图案；以及接触件硅化物膜，位于源极漏极接触件与源极漏极图案之间，接触件硅化物膜接触硅化物掩模图案的底表面，其中，从源极漏极图案的最下面的部分到源极漏极接触件的最下面的部分的高度小于从源极漏极图案的最下面的部分到硅化物掩模图案的底表面的高度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 半导体装置

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