申请/专利权人：ASML荷兰有限公司

申请日：2022-08-15

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN117918007A

主分类号：G03F1/84

分类号：G03F1/84;G01N21/956;G03F7/20;G06T7/00

优先权：["20210909 EP 21195866.5"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.23#公开

摘要：由于掩模检查晶片可以利用与生产晶片不同的工艺，所以可以利用具有较低光瞳填充比PFR的高对比度照射设置，其导致扫描仪的生产率降低。通过选择不同于在生产晶片上使用的高对比度照射设置，可以实现颗粒可印刷性与随机缺陷的比率的提高。组合地，或者替代地，可以利用更高剂量的抗蚀剂。这允许对晶片进行更长的曝光，从而减小光子散粒噪声的影响，还导致颗粒可印刷性与随机缺陷的提高的比率。结果，可以进一步增强颗粒可印刷性，而不会导致过量的随机缺陷。因此，可以显著地提高带电粒子检查和分析的位点数目，从而提高吞吐量。

主权项：1.一种用于检测图案形成装置中的缺陷的系统，所述系统包括：带电粒子检查系统，被配置用于检查图案化衬底，其中所述图案化衬底是使用所述图案形成装置并通过与在常规生产图案化工艺期间使用的图案化参数相比地调制图案化参数来被生产的，并且其中调制所述图案化参数增强了所述缺陷到所述图案化衬底上的图案化能力；以及一个或多个处理器，被机器可读指令配置成：检测与所述图案形成装置中的所述缺陷的增强的所述图案化能力相关联的所述图案化衬底中的缺陷；以及基于所述图案化衬底中的所述缺陷来检测所述图案形成装置中的所述缺陷。

全文数据：

权利要求：

百度查询： ASML荷兰有限公司 图案形成装置缺陷检测系统和方法

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