申请/专利权人：东京毅力科创株式会社

申请日：2023-10-12

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN117917758A

主分类号：H01L21/67

分类号：H01L21/67;F26B23/10

优先权：["20221020 JP 2022-168325"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.23#公开

摘要：本发明提供基板处理装置和流体加热装置。本发明提供一种能够降低处理流体的温度偏差的技术。本公开的一技术方案的基板处理装置为通过使用超临界状态的处理流体而使附着于基板的液体干燥的基板处理装置，其中，该基板处理装置具备：处理容器，其收容所述基板；多个配管，该多个配管使所述处理流体在其与所述处理容器之间流通；第1流体加热装置，其对所述多个配管中的向所述处理容器的内部供给所述处理流体的配管进行加热；以及第2流体加热装置，其对所述多个配管中的自所述处理容器的内部排出所述处理流体的配管进行加热。

主权项：1.一种基板处理装置，其通过使用超临界状态的处理流体而使附着于基板的液体干燥，其中，该基板处理装置具备：处理容器，其收容所述基板；多个配管，该多个配管使所述处理流体在其与所述处理容器之间流通；第1流体加热装置，其对所述多个配管中的向所述处理容器的内部供给所述处理流体的配管进行加热；以及第2流体加热装置，其对所述多个配管中的自所述处理容器的内部排出所述处理流体的配管进行加热。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和流体加热装置

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