申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2022-07-12

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN117918064A

主分类号：H10B41/40

分类号：H10B41/40;H10B43/40;H10B41/50;H10B43/50

优先权：["20210712 US 17/373,258"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.23#公开

摘要：微电子装置包含具有竖直交替绝缘及导电结构的分层堆叠。第一系列体育场在双块结构的第一块内的所述分层堆叠中界定。第二系列体育场在所述双块结构的第二块内的所述分层堆叠中界定。所述第一及第二系列体育场关于所述双块结构的中心处的沟槽大体上对称构造。所述沟槽延伸所述第一及第二系列体育场的宽度。所述第一及第二系列体育场的体育场具有包括所述分层堆叠的所述导电结构的端处的台阶的相对楼梯结构。导电源极漏极接触结构在所述堆叠中且从所述沟槽的底部处的源极漏极区大体上竖直延伸。还公开额外微电子装置以及制造方法及电子系统。

主权项：1.一种微电子装置，其包括：堆叠结构，其包括布置在层级中的绝缘结构及导电结构的竖直交替序列；双块结构，其包括：第一系列体育场，其在所述双块结构的第一块内的所述堆叠结构中界定；及第二系列体育场，其在所述双块结构的第二块内的所述堆叠结构中界定，所述第一系列体育场及所述第二系列体育场关于所述双块结构的中心处的沟槽大体上对称构造，所述沟槽延伸所述第一系列及所述第二系列体育场的宽度，所述第一系列及所述第二系列体育场的体育场具有包括所述堆叠结构的所述导电结构的端处的台阶的相对楼梯结构；及导电源极漏极接触结构，其在所述沟槽中，从所述沟槽的底部处的源极漏极区大体上竖直延伸。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 在对称双块结构中的沟槽中具有有源源极/漏极触点的微电子装置及相关系统及方法

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