申请/专利权人：湖北九峰山实验室

申请日：2023-12-27

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117894832A

主分类号：H01L29/778

分类号：H01L29/778;H01L21/335

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.03#实质审查的生效;2024.04.16#公开

摘要：本发明提供一种化合物异质结p型晶体管及其制备方法，属于半导体器件技术领域。该p型晶体管包括衬底和依次叠加的缓冲层、第一沟道层、势垒层、第二沟道层形成的位于衬底上的有源区；第二沟道层的上层刻蚀有用于沉积栅极的栅极沟槽，源极和漏极位于栅极两侧；从栅极沟槽开口周围的第二沟道层上表面沿着栅极沟槽的侧壁至其底部紧邻侧壁的位置设置有与源、漏极均形成欧姆接触的欧姆金属层；源、漏极与第二沟道层的上表面、栅极与栅极沟槽的底部均通过第一介质层隔离；栅极与欧姆金属层之间设置有第二介质层；第二沟道层为p型氧化物层或和p型氮化物层。该p型晶体管的结构能有效减小器件尺寸，提高其电流能力、开关速度和沟道中的空穴迁移率。

主权项：1.一种化合物异质结p型晶体管，其特征在于，由下至上依次包括衬底、缓冲层、第一沟道层、势垒层、第二沟道层，以及源极、漏极和栅极；所述缓冲层的上层、所述第一沟道层、所述势垒层、所述第二沟道层形成有源区，所述有源区周围为无源区；在所述有源区，所述第二沟道层背离所述势垒层的一侧刻蚀有栅极沟槽，所述栅极设置于所述栅极沟槽内，所述源极和所述漏极位于所述栅极两侧；从所述栅极沟槽开口周围的第二沟道层上表面沿着所述栅极沟槽的侧壁至所述栅极沟槽的底部紧邻侧壁的位置设置有欧姆金属层，所述源极和所述漏极均与所述第二沟道层形成欧姆接触；所述源极与所述第二沟道层的上表面之间、所述漏极与所述第二沟道层的上表面之间、所述栅极与所述栅极沟槽的底部内表面之间均设置有第一介质层；所述栅极与所述欧姆金属层之间设置有第二介质层；所述第二沟道层的材料为p型氧化物或和p型氮化物。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湖北九峰山实验室 一种化合物异质结p型晶体管及其制备方法

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