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【发明授权】异质结电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统_天合光能股份有限公司_202311746956.1 

申请/专利权人:天合光能股份有限公司

申请日:2023-12-19

公开(公告)日:2024-04-23

公开(公告)号:CN117423754B

主分类号:H01L31/0216

分类号:H01L31/0216;H01L31/0352;H01L31/0747;H01L31/02;H01L31/20

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.23#授权;2024.02.06#实质审查的生效;2024.01.19#公开

摘要:本发明涉及一种异质结电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统。异质结电池包括:基底;第一本征硅层、第一掺杂层和第一透明导电层,依次层叠设置于第一表面;以及第二本征硅层、第二掺杂层和第二透明导电层,依次层叠设置于第二表面;第一掺杂层的掺杂类型与第二掺杂层的掺杂类型相反;其中,第一透明导电层覆盖第一表面的至少部分表面,第二透明导电层覆盖第二表面和多个侧面的至少部分表面,第一透明导电层的边缘和第二透明导电层的边缘间隔设置,以在第一透明导电层的边缘和第二透明导电层的边缘之间界定出隔离区。本发明的异质结电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统的效率较高。

主权项:1.一种异质结电池,其特征在于,包括:基底,包括相对设置的第一表面、第二表面、以及邻接于所述第一表面和所述第二表面之间的多个侧面;第一本征硅层、第一掺杂层和第一透明导电层,所述第一本征硅层、第一掺杂层和所述第一透明导电层依次层叠设置于所述第一表面;以及第二本征硅层、第二掺杂层和第二透明导电层,所述第二本征硅层、第二掺杂层和所述第二透明导电层依次层叠设置于所述第二表面;所述第一掺杂层的掺杂类型与所述第二掺杂层的掺杂类型相反;其中,所述第一透明导电层覆盖所述第一表面的至少部分表面,所述第二透明导电层覆盖所述第二表面和所述多个侧面的至少部分表面,所述第一透明导电层的边缘和所述第二透明导电层的边缘间隔设置,以在所述第一透明导电层的边缘和所述第二透明导电层的边缘之间界定出隔离区;所述第一掺杂层覆盖多个所述侧面的部分表面,所述第二透明导电层部分位于所述第一掺杂层的背离所述基底的一侧,且所述第二透明导电层与所述第一掺杂层具有正对的膜层区域;所述异质结电池还包括绝缘隔离层,所述绝缘隔离层层叠设置于所述隔离区的表面并完全覆盖所述隔离区;所述绝缘隔离层的部分结构,分别与所述第二透明导电层和所述第一掺杂层的所述正对的膜层区域直接接触,并隔离于所述第二透明导电层和所述第一掺杂层的所述正对的膜层区域之间。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 天合光能股份有限公司 异质结电池及其制作方法、光伏组件及光伏系统

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