申请/专利权人：索泰克公司

申请日：2019-12-26

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN113396484B

主分类号：H01L31/0352

分类号：H01L31/0352;H01S5/042;H01L33/04;H01L33/18

优先权：["20190109 FR 1900190"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2021.10.26#实质审查的生效;2021.09.14#公开

摘要：本发明涉及一种光电半导体结构SC，其包括设置在n型注入层5与p型注入层7之间的基于InGaN的有源层6，所述p型注入层6包括第一InGaN层7a以及设置在所述第一层7a上的第二层7b，所述第二层7b由多个AlGaInN元素层组成，每个元素层的厚度小于其临界弛豫厚度，两个连续元素层具有不同的铝和或铟和或镓成分。

主权项：1.一种光电半导体结构SC，所述光电半导体结构包括设置在n型注入层5与p型注入层7之间的基于InGaN的有源层6，所述p型注入层7包括厚度范围从50nm至300nm的第一InGaN层7a以及设置在所述第一InGaN层7a上的第二层7b，所述第二层7b由多个AlGaInN元素层组成，每个元素层的厚度小于其临界弛豫厚度，两个连续元素层具有不同的铝和或铟和或镓成分。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 索泰克公司 包含基于InGaN的P型注入层的光电半导体结构

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