申请/专利权人：浙江大学杭州国际科创中心

申请日：2023-12-26

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117894700A

主分类号：H01L21/66

分类号：H01L21/66;H01L21/265

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.16#公开

摘要：本发明涉及半导体领域，提供一种评估离子注入工艺的方法。通过与正片共同进行离子注入的监控陪片评估离子注入工艺，由监控陪片替代正片进行有损检测而无需损耗昂贵的正片，因此提高了监控评估的灵活性并显著降低了监控成本，其中，仅需对基准片进行SIMS测试即可确认的扫描电镜分析数据的可参考性；后续评估离子注入工艺只需进行扫描电镜分析数据相对偏差值即可判定离子注入工艺的稳定性。本发明提供的评估离子注入工艺的方法简单可靠快速，且设备使用成本远低于频繁使用SIMS等手段来测量。

主权项：1.一种评估离子注入工艺的方法，其特征在于，包括：提供正片、监控陪片；将所述正片与监控陪片一起进行离子注入工艺，所述监控陪片完成离子注入工艺后，离子注入的部分形成损伤区；将所述监控陪片制备成第一断面样品，将所述第一断面样品进行扫描电镜分析，获取所述监控陪片的第一断面扫描电镜分析数据；提供基准片的第二断面扫描电镜分析数据，其中，将待定基准片采用与所述正片、所述监控陪片相同参数的离子注入工艺，当利用所述待定基准片测得本次离子注入工艺为标准离子注入工艺时，将所述待定基准片作为基准片，将所述基准片制备成第二断面样品，将所述第二断面样品进行扫描电镜分析，获取所述基准片的第二断面扫描电镜分析数据，将第二断面扫描电镜分析数据作为基准值；将所述监控陪片的第一断面扫描电镜分析数据与所述基准片的第二断面扫描电镜分析数据相对比并获得扫描电镜分析数据偏差值，通过所述扫描电镜分析数据偏差值是否在设定范围内，从而判定离子注入工艺的评估结果。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江大学杭州国际科创中心 一种评估离子注入工艺的方法

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