申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司

申请日：2021-06-09

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN113488492B

主分类号：H01L27/146

分类号：H01L27/146

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2021.10.26#实质审查的生效;2021.10.08#公开

摘要：本申请公开了一种用于小尺寸CIS器件的离子注入方法，涉及半导体制造领域。该用于小尺寸CIS器件的离子注入方法包括在衬底上形成离子注入掩膜层，所述离子注入掩膜层的材料为非晶硅或多晶硅；在所述衬底表面形成APF薄膜；通过光刻和刻蚀工艺，在所述APF薄膜中形成高能注入区域图案；以刻蚀后的APF薄膜为掩膜刻蚀所述离子注入掩膜层，在所述离子注入掩膜层中形成所述高能注入区域图案；对所述衬底进行高能离子注入，在所述衬底中形成高能离子注入区；达到了满足小线宽下更大的离子注入深度，优化小尺寸CIS器件的离子注入工艺的效果。

主权项：1.一种用于小尺寸CIS器件的离子注入方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底上形成离子注入掩膜层，所述离子注入掩膜层的材料为非晶硅或多晶硅，所述离子注入掩膜层的厚度为5000埃-20000埃；在所述离子注入掩膜层表面形成刻蚀缓冲层，所述刻蚀缓冲层为DARC层或NFD层或氮化钛层或NDC层，所述刻蚀缓冲层的厚度为300埃-700埃；在所述刻蚀缓冲层表面形成APF薄膜，所述APF薄膜的厚度为2000埃-7000埃；在所述APF薄膜表面形成DARC层，所述DARC层的厚度为300埃-700埃；通过光刻和刻蚀工艺，在所述APF薄膜中形成高能注入区域图案；以刻蚀后的APF薄膜为掩膜刻蚀所述离子注入掩膜层，在所述离子注入掩膜层中形成所述高能注入区域图案；对所述衬底进行高能离子注入，在所述衬底中形成高能离子注入区。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 用于小尺寸CIS器件的离子注入方法

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