申请/专利权人：索尼半导体解决方案公司

申请日：2022-01-31

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN117918038A

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18;H01L21/3205;H01L23/522

优先权：["20210916 JP 2021-150705"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.23#公开

摘要：为了防止在其中形成有贯通过孔的半导体器件中出现金属埋入缺陷。该半导体器件包括衬底、蚀刻停止层、裸片和隔离膜。在该半导体器件中，在衬底上形成有重新布线层。蚀刻停止层形成在重新布线层的键合表面上。裸片隔着蚀刻停止层键合到键合表面的部分区域。隔离膜覆盖裸片和蚀刻停止层。

主权项：1.一种半导体器件，包括：衬底，其上形成有重新布线层；蚀刻停止层，形成在重新布线层的键合表面上；裸片，隔着蚀刻停止层键合到键合表面的部分区域；以及隔离膜，覆盖裸片和蚀刻停止层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 索尼半导体解决方案公司 半导体器件以及用于制造半导体器件的方法

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