申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司

申请日：2024-01-04

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117832239A

主分类号：H01L27/146

分类号：H01L27/146;H04N25/76;H01L21/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：本申请公开了一种CIS的制作方法，包括：提供一晶圆，该晶圆的两个相对的底面分别为正面和背面，背面形成有LTO层，正面用于形成CIS的相关器件结构；去除LTO层；在正面形成氧化层；在氧化层上形成第一多晶硅层；在背面形成第二多晶硅层，第二多晶硅层用于吸收后续的制作工艺中产生的金属离子杂质；去除氧化层和第一多晶硅层。本申请通过在CIS的制作工艺中，在晶圆正面制作CIS的相关器件结构之前，在晶圆背面形成第二多晶硅层，由于多晶硅能够促进硅衬底内的氧沉淀，产生了内吸杂作用，且在后续的制作过程中，高温过程氧化会使得多晶硅层减薄至耗尽，但是氧化到达衬底底部时，将诱生高密度氧化层错和位错以吸收金属杂质。

主权项：1.一种CIS的制作方法，其特征在于，包括：提供一晶圆，所述晶圆的两个相对的底面分别为正面和背面，所述背面形成有LTO层，所述正面用于形成CIS的相关器件结构；去除所述LTO层；在所述正面形成氧化层；在所述氧化层上形成第一多晶硅层；在所述背面形成第二多晶硅层，所述第二多晶硅层用于吸收后续的制作工艺中产生的金属离子杂质；去除所述氧化层和所述第一多晶硅层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 CIS的制作方法

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