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【发明公布】一种提高CIS芯片扇出面积的封装结构及方法_华天科技(昆山)电子有限公司_202311730729.X 

申请/专利权人:华天科技(昆山)电子有限公司

申请日:2023-12-15

公开(公告)日:2024-03-01

公开(公告)号:CN117637791A

主分类号:H01L27/146

分类号:H01L27/146

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.03.19#实质审查的生效;2024.03.01#公开

摘要:本发明公开了一种提高CIS芯片扇出面积的封装结构及方法,所述结构包括:硅基板,所述硅基板具有第一表面和第二表面,其开设有贯穿第一表面和第二表面的硅通孔;CIS芯片,其从硅基板的第一表面埋入到硅基板内,其中感光区朝向硅基板的第一表面;第一金属线路层,其制作在硅基板的第一表面,其中CIS芯片的感光区空出,且与CIS芯片导通;干膜,其覆盖在硅基板第一表面包裹住第一金属线路层;第二金属线路层,其制作在硅基板的第二表面,通过硅基板硅通孔与第一金属线路层导通;阻焊层,所述阻焊层制作在第二金属线路层上;信号引出结构,所述信号引出结构制作在阻焊层上,其与第二金属线路层导通;透明基板,所述透明基板键合在干膜上。

主权项:1.一种提高CIS芯片扇出面积的封装结构,其特征在于,包括:硅基板,所述硅基板具有第一表面和第二表面,其开设有贯穿第一表面和第二表面的硅通孔;CIS芯片,所述CIS芯片具有感光区,其从硅基板的第一表面埋入到硅基板内,其中感光区朝向硅基板的第一表面;第一金属线路层,所述第一金属线路层制作在硅基板的第一表面,其中CIS芯片的感光区空出,且与CIS芯片导通;干膜,所述干膜覆盖在硅基板第一表面,其包裹住第一金属线路层;第二金属线路层,所述第二金属线路层制作在硅基板的第二表面,其通过硅通孔与第一金属线路层导通;阻焊层,所述阻焊层制作在第二金属线路层上;信号引出结构,所述信号引出结构制作在阻焊层上,其与第二金属线路层导通;透明基板,所述透明基板键合在干膜上。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 华天科技(昆山)电子有限公司 一种提高CIS芯片扇出面积的封装结构及方法

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