申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2023-06-09

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN220829951U

主分类号：H01L23/367

分类号：H01L23/367;H01L23/48

优先权：["20220707 US 17/859,297"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权

摘要：本实用新型提供一种半导体封装，包括具有第一基底及位于第一基底上的第一接触接垫的第一半导体元件、位于第一基底上且延伸至第一基底中的第一热传导特征、位于第一基底之上的第二半导体元件、位于第一半导体元件之上且位于第二半导体元件旁的第一热传导桥及位于第一半导体元件之上且沿着第二半导体元件与第一热传导桥的侧壁的第一封装胶体。第二半导体元件包括电性连接至第一接触接垫的第二接触接垫。第一热传导桥包括第二基底及位于第二基底上且延伸至第二基底中的第二热传导特征。第二热传导特征接合至第一热传导特征。

主权项：1.一种半导体封装，其特征在于，包括：第一半导体元件，包括第一基底；第一接触接垫，位于所述第一基底上；第一热传导特征，位于所述第一基底上，其中所述第一热传导特征延伸至所述第一基底中，其中，所述第一热传导特征设置于所述第一半导体元件的第一区域之上；第二半导体元件，位于所述第一基底之上，其中所述第二半导体元件包括第二接触接垫，其中所述第二接触接垫电性连接至对应的所述第一接触接垫，且其中所述第二半导体元件设置于所述第一半导体元件的第二区域之上；第一热传导桥，位于所述第一半导体元件的所述第一区域之上且位于所述第二半导体元件旁，所述第一热传导桥包括：第二基底；第二热传导特征，位于所述第二基底的第一侧上，其中所述第二热传导特征延伸至所述第二基底中，且其中所述第二热传导特征接合至所述第一热传导特征；以及第一封装胶体，位于所述第一半导体元件之上且沿着所述第二半导体元件的侧壁及所述第一热传导桥的侧壁。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体封装

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