申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2019-07-16

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN110729298B

主分类号：H10B41/27

分类号：H10B41/27

优先权：["20180716 KR 10-2018-0082208"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2021.06.29#实质审查的生效;2020.01.24#公开

摘要：一种半导体存储器件包括：衬底，包括其上设置存储单元的单元区域和其上设置导电图案的连接区域，导电图案电连接到存储单元；第一字线堆叠，包括堆叠在单元区域中的衬底上并延伸到连接区域的多个第一字线；第二字线堆叠，包括堆叠在单元区域中的衬底上并延伸到连接区域的多个第二字线，第二字线堆叠与第一字线堆叠相邻；垂直沟道，设置在衬底的单元区域上，垂直沟道连接到衬底并分别与所述多个第一字线和所述多个第二字线联接；桥，将第一字线堆叠中的所述多个第一字线之一连接到第二字线堆叠的对应字线。

主权项：1.一种半导体存储器件，包括：衬底，包括其上设置存储单元的单元区域和其上设置导电图案的连接区域，所述导电图案电连接到所述存储单元；第一字线堆叠，包括堆叠在所述单元区域中的所述衬底上并且延伸到所述连接区域的多个第一字线；第二字线堆叠，包括堆叠在所述单元区域中的所述衬底上并且延伸到所述连接区域的多个第二字线，所述第二字线堆叠与所述第一字线堆叠相邻；垂直沟道，设置在所述衬底的所述单元区域上，所述垂直沟道连接到所述衬底并且分别与所述多个第一字线和所述多个第二字线联接；桥，将所述第一字线堆叠中的所述多个第一字线之一连接到所述第二字线堆叠的对应字线；以及第一图案，形成在第一地选择线GSL与第二地选择线之间，其中所述第一图案和所述桥在俯视图中交叠，以及其中所述第一图案包括在水平方向上与所述第一地选择线和所述第二地选择线中的至少一个间隔开的子图案，所述子图案具有与所述第一地选择线和所述第二地选择线的材料不同的导电材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 半导体存储器件、半导体器件和制造半导体器件的方法

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