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【发明授权】半导体封装_JMJ韩国株式会社_202010381690.5 

申请/专利权人:JMJ韩国株式会社

申请日:2020-05-08

公开(公告)日:2024-04-23

公开(公告)号:CN112086413B

主分类号:H01L23/367

分类号:H01L23/367;H01L25/18;H01L23/46;H01L21/50

优先权:["20190614 KR 10-2019-0070583","20200319 KR 10-2020-0033834"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.23#授权;2021.01.01#实质审查的生效;2020.12.15#公开

摘要:本发明提供一种半导体封装,通过如下步骤模块化制造:准备安置半导体芯片的主模块、绝缘剂、一个以上的子模块的步骤;准备所述半导体芯片的步骤;准备用于粘接所述半导体芯片的粘接剂的步骤;将所述半导体芯片附着在所述主模块的上面或上下面的步骤;进行所述半导体芯片的电性连接的步骤;准备形成有可电性连接的图案的基板的步骤;及将所述主模块的一侧面垂直地附着在所述基板的图案而电性连接的步骤,由此,通过半导体芯片111的垂直排列结构提高在基板140上的聚集率,并且,扩大散热面积而提高散热效果。

主权项:1.一种半导体封装件,其特征在于,包括:主模块;至少一个子模块,通过介入绝缘剂与所述主模块接合;至少一个半导体芯片,通过介入粘接剂附着在所述主模块的上表面或者上下表面两侧;基板,具有可电性连接的图案;以及包裹所述主模块、所述子模块、所述半导体芯片和所述基板的半导体封装主体,所述主模块的一侧面垂直地附着在所述基板的图案并电性连接,所述主模块和所述子模块包括导电金属,在所述主模块的上表面或者上下表面两侧附着安装有至少一个所述半导体芯片,所述半导体芯片由功率二极管和功率DVC构成,所述功率二极管与所述功率DVC通过金属夹片电性连接,所述功率DVC和所述子模块通过第一导电配线电性连接,构成单位的功率模块,由第1功率模块、第2功率模块和隔片模块组成的组模块以侧面竖立而垂直地附着在所述基板的图案而相互电性连接,所述组模块的子模块和所述基板通过第二导电配线电性连接,在所述基板上形成有连接到第三导电配线的接线销,所述接线销垂直形成在所述基板上或插入形成于所述半导体封装主体而通过所述第三导电配线与所述基板电性连接。

全文数据:

权利要求:

百度查询: JMJ韩国株式会社 半导体封装

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