申请/专利权人：力晟智感科技无锡有限公司

申请日：2021-07-23

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN113562688B

主分类号：B81C1/00

分类号：B81C1/00;B81B7/02

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2021.11.16#实质审查的生效;2021.10.29#公开

摘要：本发明提出的一种微机电系统传感器芯片制备方法，所述传感器芯片的腔体结构采用腐蚀氧化硅技术生成，替代了传统的直接腐蚀硅衬底技术，不仅对硅衬底的晶向无特殊要求，形成的腔体结构精准度高，均匀性好，腔体深度不受限制，不会影响其他结构的强度或限制设计空间，提高了产品的良率；同时，氧化硅腐蚀速率是硅腐蚀速率的10倍，大大缩短了工艺时间，提高了生产效率，而且氧化硅腐蚀后无残留，腔体内更洁净，更能有效避免温度对传感器芯片的干扰。本发明的微机电系统传感器芯片制备方法工艺更简单，生产效率更高，适合大批量的生产，同时制备的传感器芯片均匀性、片间器件的可重复性高，品质更优良，并且给设计人员提供了更多设计余量和空间。

主权项：1.一种微机电系统传感器芯片制备方法，其特征在于，所述传感器芯片的腔体结构采用腐蚀氧化硅技术生成；所述制备方法包括以下步骤：衬底100提供步骤，所述衬底100为硅衬底100，所述衬底100具有第一表面以及第二表面；槽阵列210制备步骤，从所述衬底100的第一表面向所述衬底100内部形成槽阵列210，相邻的所述槽阵列210之间为间隔阵列220；氧化硅层310以及氧化硅槽320制备步骤，在所述衬底100的第一表面上以及所述间隔阵列220上逐步原位生成氧化硅，在所述第一表面上形成氧化硅层310，在所述间隔阵列220以及所述槽阵列210中形成氧化硅槽320；氧化硅层310去除步骤，去除所述衬底100的所述第一表面以及所述氧化硅槽320表面的所述氧化硅层310；支撑层410制备步骤，在所述衬底100的第一表面以及所述氧化硅槽320的表面形成支撑层410；温阻层500制备步骤，在所述支撑层410上形成图案化的温阻层500；保护层600制备步骤，在所述支撑层410上以及所述温阻层500上形成图案化的保护层600；或，在所述支撑层410上以及所述温阻层500上形成支撑辅助层420，在所述支撑辅助层420上形成图案化的保护层600；释放窗口制备步骤，在所述支撑层410上形成腔体释放窗口720；或，在所述支撑辅助层420上以及所述支撑层410上形成腔体释放窗口720，在所述支撑辅助层420上形成温阻层释放窗口710；保护层600去除步骤，去除所述保护层600；腔体800制备步骤，通过所述释放窗口去除所述氧化硅槽320，在所述氧化硅槽320处形成腔体800；其中，所述槽阵列210的槽宽度为0.5μm～2.0μm，所述间隔阵列220的间隔宽度为0.5μm～2.0μm；所述槽宽度与所述间隔宽度的比为40～50：100。

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