申请/专利权人：深圳市亿联无限科技股份有限公司

申请日：2023-12-07

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN117369559B

主分类号：G05D23/20

分类号：G05D23/20

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2024.01.26#实质审查的生效;2024.01.09#公开

摘要：本申请实施例涉及通信领域，尤其是芯片温控方法、系统及通信设备。该方法、系统及通信设备执行步骤：设定第一温度阈值；获取芯片的实时温度；当芯片的实时温度达到所述第一温度阈值时生成所述实时温度对应的第一发射功率；将芯片的最大发射功率调节为所述第一发射功率，使芯片以所述第一发射功率运行。当芯片的工作温度超出预设的第一温度阈值时，根据实时的温度来获得当前的第一发射功率，随着温度的继续升高，逐步的调节芯片的发射功率，使芯片的发射功率平滑的下降，避免传统的多等级定量或按比例控制芯片发射功率断崖式下降带来的温控方式带来的明显卡顿的问题，有效的将温度的提升和发射功率的调整进行关联型的控制，提高了用户的使用体验。

主权项：1.芯片温控方法，其特征在于，包括步骤：设定第一温度阈值；获取芯片的实时温度；当芯片的实时温度达到所述第一温度阈值时生成所述实时温度对应的第一发射功率；将芯片的最大发射功率调节为所述第一发射功率，使芯片以所述第一发射功率运行；所述当芯片的实时温度达到所述第一温度阈值时获取所述实时温度对应的第一发射功率步骤进一步包括：设定一定温升区间内的整体发射功率下降量，得到功率下降比；获取芯片的最大发射功率；通过公式获取第一发射功率；其中P为第一发射功率，为芯片的最大发射功率，a为功率下降比，T为实时温度，为第一温度阈值。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市亿联无限科技股份有限公司 芯片温控方法、系统及通信设备

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