申请/专利权人：联华电子股份有限公司

申请日：2022-10-21

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN117917769A

主分类号：H01L23/528

分类号：H01L23/528;H01L23/64;H01L25/18

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.23#公开

摘要：本发明公开一种半导体封装结构，其主要包含第一晶片具有一深沟槽电容以及第二晶片接合该第一晶片，其中第二晶片又包含第一主动元件设于第一硅覆绝缘基底上以及第一金属内连线连接第一主动元件以及深沟槽电容。其中第一晶片又包含该深沟槽电容设于一基底内、第一层间介电层设于深沟槽电容上、第一金属间介电层设于该第一层间介电层上以及第二金属内连线设于第一层间介电层以及第一金属间介电层内。

主权项：1.一种半导体元件，其特征在于，包含：第一晶片，包含深沟槽电容；第二晶片，接合该第一晶片，该第二晶片包含：第一主动元件，设于第一硅覆绝缘基底上；以及第一金属内连线，连接该第一主动元件以及该深沟槽电容。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 联华电子股份有限公司 半导体封装结构

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