申请/专利权人：应用材料股份有限公司

申请日：2019-12-05

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN113228225B

主分类号：H01J37/317

分类号：H01J37/317;C23C14/32;H01J37/147

优先权：["20190118 US 16/251,814","20190517 US 16/415,255"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2021.08.24#实质审查的生效;2021.08.06#公开

摘要：公开一种离子植入器、在离子植入器中处理离子束的方法以及低发射嵌件。所述离子植入器可包括束线，所述束线限定围绕空腔的内壁，所述空腔被布置成传导离子束。所述离子植入器也可包括低发射嵌件，所述低发射嵌件设置在所述内壁上并且还包括12C层，所述12C层具有面向所述空腔的外表面。

主权项：1.一种离子植入器，包括：束线，所述束线限定围绕空腔的内壁，所述空腔被布置成传导离子束；以及低发射嵌件，设置在所述内壁上，并且还包括12C层，所述12C层具有面向所述空腔的外表面，其中所述低发射嵌件设置在所述束线的下游部分中，所述束线的所述下游部分包括线性加速器或串联加速器的至少一部分以及设置在所述线性加速器或所述串联加速器下游的一系列束线部件，且其中所述低发射嵌件不设置在所述束线的上游部分中，所述束线的所述上游部分包括设置在所述线性加速器或所述串联加速器上游的束线部件。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 应用材料股份有限公司 离子植入器、处理离子束的方法以及低发射嵌件

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