申请/专利权人：上海磁宇信息科技有限公司

申请日：2019-06-14

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN112086555B

主分类号：H10B61/00

分类号：H10B61/00;H10N50/20;H10N50/10

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2021.01.01#实质审查的生效;2020.12.15#公开

摘要：本发明涉及一种制备磁性隧道结单元阵列的方法，制备磁性隧道结单元阵列的方法，具体步骤如下：步骤一、提供表面抛光的带金属连线Mx的CMOS基底；步骤二、在经过平坦化处理之后的CMOS基底上，制作刻蚀之后的底电极通孔；步骤三、沉积BEV和BE沉积金属以形成BEV金属填充和BE金属，并对BE金属进行平坦化处理以使其满足沉积MTJ多层膜的要求；步骤四、在平坦化的BE金属上，沉积磁性隧道结和顶电极，图形化定义磁性隧道结图案，对顶电极、磁性隧道结和BE金属进行刻蚀，并在刻蚀之后的顶电极、磁性隧道结和BE金属的外部周围沉积一层绝缘覆盖层。

主权项：1.一种制备磁性隧道结单元阵列的方法，其特征在于，具体步骤如下：步骤一、提供表面抛光的带金属连线Mx的CMOS基底，其中，x≥1；步骤二、在经过平坦化处理之后的CMOS基底上，制作刻蚀之后的底电极通孔；步骤三、沉积底电极通孔BEV和底电极BE沉积金属以形成底电极通孔BEV金属填充和底电极BE金属，并对底电极BE金属进行平坦化处理以使其满足沉积磁性隧道结多层膜的要求；形成的所述底电极通孔BEV金属填充和底电极BE金属是一次沉积完成的；所述底电极通孔BEV和底电极BE沉积金属在刻蚀之后的底电极通孔之内，并覆盖底电极通孔BEV层间电介质；其中，填充在刻蚀之后的底电极通孔之内的金属为底电极通孔BEV金属填充，覆盖在底电极通孔BEV层间电介质之上的金属为底电极BE金属；步骤四、在平坦化的底电极BE金属上，沉积磁性隧道结和顶电极，图形化定义磁性隧道结图案，对顶电极、磁性隧道结和底电极BE金属进行刻蚀，并在刻蚀之后的顶电极、磁性隧道结和底电极BE金属的外部周围沉积一层绝缘覆盖层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海磁宇信息科技有限公司 一种制备磁性隧道结单元阵列的方法

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