申请/专利权人：清华大学;北京清华长庚医院

申请日：2021-02-10

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN114910840B

主分类号：G01R33/34

分类号：G01R33/34;G01R33/38

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2022.09.30#实质审查的生效;2022.08.16#公开

摘要：本申请涉及一种磁场增强组件及磁场增强器件。所述磁场增强组件包括第一电介质层、第一电极层、第二电极层、第三电极层和输出匹配电路。第一电极层设置于第一电极层的第一表面。第二电极层和第三电极层相对间隔设置于第一电极层的第二表面。第二电极层与第一电极层部分重叠。第三电极层与第一电极层部分重叠。输出匹配电路连接于所述第一电极层与第二电极层之间。输出匹配电路还用于与信号采集装置连接。输出匹配电路用于调节信号采集装置两端的阻抗值和谐振频率，以直接取出检测信号，减小与其他线圈配合引起的耦合伪影和噪声，检测信号质量较高，图像质量较高。

主权项：1.一种磁场增强组件，其特征在于，包括：第一电介质层（100），具有相对的第一端（103）和第二端（104），并包括相对的第一表面（101）和第二表面（102）；第一电极层（110），设置于所述第一表面（101），并从所述第一端（103）延伸至所述第二端（104）；第二电极层（120）和第三电极层（130），相对间隔设置于所述第二表面（102），所述第二电极层（120）靠近所述第一端（103）设置，所述第三电极层（130）靠近所述第二端（104）设置；所述第二电极层（120）在所述第一电介质层（100）的正投影与所述第一电极层（110）靠近所述第一端（103）的部分在所述第一电介质层（100）的正投影部分重叠，所述第二电极层（120）、所述第一电介质层（100）和所述第一电极层（110）靠近所述第一端（103）的部分构成第二结构电容（302），所述第三电极层（130）在所述第一电介质层（100）的正投影与所述第一电极层（110）靠近所述第二端（104）的部分在所述第一电介质层（100）的正投影部分重叠，所述第三电极层（130）、所述第一电介质层（100）和所述第一电极层（110）靠近所述第二端（104）的部分构成第三结构电容（303）；输出匹配电路（640），包括匹配电容（641）、调谐电容（642）和输出接口（643），所述匹配电容（641）的一端与所述第一电极层（110）靠近所述第一端（103）的部分连接，所述调谐电容（642）连接于所述匹配电容（641）的另一端与所述第二电极层（120）之间，所述输出接口（643）与所述调谐电容（642）并联连接，所述输出接口（643）用于与信号采集装置连接，所述输出匹配电路（640）用于调节所述信号采集装置两端的阻抗值和谐振频率；第二开关电路（650），包括反向串联的第一耗尽型MOS管（652）和第二耗尽型MOS管（653），所述第一耗尽型MOS管（652）的栅极和漏极与所述输出匹配电路（640）连接，所述匹配电容（641）远离所述调谐电容（642）的一端连接，所述第一耗尽型MOS管（652）的源极与所述第二耗尽型MOS管（653）的源极连接，所述第二耗尽型MOS管（653）的栅极和漏极与所述第一电极层（110）靠近所述第一端（103）的部分连接，所述第一耗尽型MOS管（652）和所述第二耗尽型MOS管（653）用于在射频接收阶段交替导通。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 清华大学;北京清华长庚医院 磁场增强组件及磁场增强器件

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