申请/专利权人：泉州三安半导体科技有限公司

申请日：2022-05-26

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN114864784B

主分类号：H01L33/44

分类号：H01L33/44;H01L33/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2023.11.07#专利申请权的转移;2022.08.23#实质审查的生效;2022.08.05#公开

摘要：本发明涉及发光二极管芯片技术领域，特别涉及一种发光二极管及发光装置，与现有技术相比，本发明通过设置键合层将外延层键合于基板之上。本发明的键合层为双层结构，也即第一键合胶层和第二键合胶层的结构，并且通过第二键合胶层与外延层的结合界面相对第一键合胶层与基板的结合界面解离温度更低的设计，可通过加热的方式将第二键合胶层剥离于所述外延层使得键合层一方面具有第一键合胶层的稳定性以保证芯粒与基板的连接强度，避免制程中发生自然脱落的情况，另一方面通过更易于被去除的第二键合胶层与外延层相连接，以降低剥离条件，提高芯粒转印剥离的效率并且避免了现有技术中剥离后芯粒表面有残胶等技术问题。

主权项：1.一种发光二极管，包括：基板；外延层，具有依次层叠于所述基板之上的第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一电极，电连接所述第一半导体层；第二电极，电连接所述第二半导体层；以及键合层，所述键合层位于所述基板和所述外延层之间；其特征在于，所述键合层自所述基板至所述外延层依次包括相层叠的第一键合胶层和第二键合胶层，所述第二键合胶层与所述外延层的结合界面的解离温度为220度以上，所述第一键合胶层与所述基板的结合界面的解离温度为300度以上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 泉州三安半导体科技有限公司 一种发光二极管及发光装置

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