申请/专利权人：厦门三安光电有限公司

申请日：2023-07-10

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN220829972U

主分类号：H01L33/38

分类号：H01L33/38;H01L33/14;H01L33/10

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权

摘要：本实用新型涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管及发光装置，其包括半导体叠层、第一电极、第二电极、第一电流阻挡层。半导体叠层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一电极位于第一半导体层上；第一电流阻挡层位于第一半导体层与第一电极之间。从发光二极管的上方朝向半导体叠层俯视，第一电极包括第一导通部，第一电流阻挡层包括与第一导通部至少部分重叠的第一阻挡区以及由第一阻挡区向外延伸至未与第一导通部重叠的至少一第二阻挡区；每一第二阻挡区超出第一电极边缘的最大距离大于等于1微米。不仅有效改善电流聚集现象，促进电流的横向扩展，还能提升发光二极管的光萃取能力，提高发光二极管的光电效果。

主权项：1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：半导体叠层，具有相对的下表面和上表面，所述半导体叠层包括由所述下表面到所述上表面依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一电极，位于所述第一半导体层上，并且与所述第一半导体层电连接；第二电极，位于所述第二半导体层上，并且与所述第二半导体层电连接；第一电流阻挡层，位于所述第一半导体层与所述第一电极之间；从所述发光二极管的上方朝向所述半导体叠层俯视，所述第一电极包括第一导通部，所述第一电流阻挡层包括与所述第一导通部至少部分重叠的第一阻挡区以及由第一阻挡区向外延伸至未与所述第一导通部重叠的至少一第二阻挡区；每一所述第二阻挡区超出所述第一电极边缘的最大距离大于等于1微米。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 厦门三安光电有限公司 一种发光二极管及发光装置

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