申请/专利权人：TCL科技集团股份有限公司

申请日：2020-09-17

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN114203941B

主分类号：H10K71/12

分类号：H10K71/12;H10K71/15;H10K50/155

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2022.04.05#实质审查的生效;2022.03.18#公开

摘要：本申请涉及显示技术领域，提供了一种薄膜的制备方法和发光二极管。本申请提供的薄膜的制备方法包括：提供分散液、基质和第一惰性气体气氛，分散液包括p型半导体材料，第一惰性气体气氛掺杂有芳香族化合物，芳香族化合物能分散或溶解p型半导体材料；在第一惰性气体气氛下，将分散液在基质上进行成膜处理，形成薄膜。通过上述方法制得的薄膜表面平整致密，当应用于发光二极管的空穴功能层时，有利于改善空穴功能层的薄膜形貌，降低空穴功能层与发光层的界面电阻，从而提高器件的空穴传输效率，有效平衡器件的空穴传输效率和电子传输效率，进而提高器件的光电性能和工作寿命。

主权项：1.一种薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供分散液、基质和第一惰性气体气氛，所述分散液包括p型半导体材料，所述第一惰性气体气氛掺杂有芳香族化合物，所述芳香族化合物能分散或溶解所述p型半导体材料；在所述第一惰性气体气氛下，将所述分散液在所述基质上进行成膜处理，形成所述薄膜；所述芳香族化合物选自氯苯、溴苯和碘苯中的至少一种；所述p型半导体材料选自PEDOT:PSS、CuPc、F4-TCNQ、HATCN、聚9,9-二辛基芴-CO-N-4-丁基苯基二苯胺、聚乙烯咔唑、聚N,N'-双4-丁基苯基-N,N'-双苯基联苯胺、聚9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺、4,4',4”-三咔唑-9-基三苯胺、4,4'-二9-咔唑联苯、N,N'-二苯基-N,N'-二3-甲基苯基-1,1'-联苯-4,4'-二胺、15N,N'-二苯基-N,N'-1-萘基-1,1'-联苯-4,4'-二胺、石墨烯、C60、NiOx、MoOx、WOx、CrOx、CuO、MoSx、MoSex、WSx、WSex和CuS中的至少一种。

全文数据：

权利要求：

百度查询： TCL科技集团股份有限公司 薄膜的制备方法和发光二极管

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