申请/专利权人：株式会社神户制钢所

申请日：2020-01-16

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN113348562B

主分类号：H01L29/786

分类号：H01L29/786;C23C14/08;C23C14/34;H01L21/28;H01L21/363;H01L29/24;H01L29/417

优先权：["20190213 JP 2019-023463"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2021.09.21#实质审查的生效;2021.09.03#公开

摘要：本发明涉及氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅射靶。氧化物半导体薄膜具有第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层，分别包含In、Ga、Zn、Sn及O，第一氧化物半导体层满足0.05≦InIn+Ga+Zn+Sn≦0.25、0.20≦GaIn+Ga+Zn+Sn≦0.60、0.20≦ZnIn+Ga+Zn+Sn≦0.60、0.05≦SnIn+Ga+Zn+Sn≦0.15，第二氧化物半导体层满足0.20≦InIn+Ga+Zn+Sn≦0.60、0.05≦GaIn+Ga+Zn+Sn≦0.25、0.15≦ZnIn+Ga+Zn+Sn≦0.60、0.01≦SnIn+Ga+Zn+Sn≦0.20。

主权项：1.一种氧化物半导体薄膜，其具有第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层，所述第一氧化物半导体层及所述第二氧化物半导体层分别包含作为金属元素的In、Ga、Zn及Sn，以及O，所述第一氧化物半导体层中的各金属元素相对于所述In、Ga、Zn及Sn的合计的原子数比满足0.05≦In（In+Ga+Zn+Sn）≦0.250.20≦Ga（In+Ga+Zn+Sn）≦0.600.20≦Zn（In+Ga+Zn+Sn）≦0.600.05≦Sn（In+Ga+Zn+Sn）≦0.15，所述第二氧化物半导体层中的各金属元素相对于所述In、Ga、Zn及Sn的合计的原子数比满足0.20≦In（In+Ga+Zn+Sn）≦0.600.05≦Ga（In+Ga+Zn+Sn）≦0.250.15≦Zn（In+Ga+Zn+Sn）≦0.600.01≦Sn（In+Ga+Zn+Sn）≦0.20，在所述第一氧化物半导体层中，In相对于In及Sn的合计的原子数比满足0.30≦In（In+Sn）≦（101152），在所述第一氧化物半导体层中，Ga相对于Ga及Sn的合计的原子数比满足0.75≦Ga（Ga+Sn）≦0.99。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社神户制钢所 氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅射靶

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