申请/专利权人：立芯科技(昆山)有限公司

申请日：2023-12-21

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117476474B

主分类号：H01L21/56

分类号：H01L21/56;H01L21/78;H01L23/552;C23C14/34;C23C14/58

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2024.02.20#实质审查的生效;2024.01.30#公开

摘要：本发明实施例公开了一种半导体芯片表面溅镀的方法，该方法通过将连板半导体芯片上每个半导体芯片的外侧壁进行第一次切割，然后将第一次切割后的连板半导体芯片放置固定在载具上对每个半导体芯片的外侧壁以及顶面进行溅镀，然后从载具中取出后翻转对连板半导体芯片上每个半导体芯片的外侧壁进行第二次切割从而分割形成多个独立的半导体芯片。该方法是直接对连板半导体芯片进行切割、溅镀，提高了作业效率和产品良率，极大的减少了对应设备以及物料的投入成本。

主权项：1.一种半导体芯片表面溅镀的方法，其特征在于，所述方法包括：将连板半导体芯片上每个半导体芯片的外侧壁进行第一次切割；将导热硅胶片固定在载具的容置腔底部，所述容置腔的深度小于等于塑封底面到PCB基板顶面的厚度与导热硅胶片的厚度之和；将第一次切割后的连板半导体芯片放置到载具的容置腔内，所述连板半导体芯片与所述导热硅胶片接触；在载具顶面上放置遮挡片固定所述连板半导体芯片；对第一次切割后的连板半导体芯片上每个半导体芯片的外侧壁以及顶面进行溅镀，所述半导体芯片的外侧壁上的溅镀深度与第一次切割的高度相同；将溅镀后的连板半导体芯片从载具中取出后翻转，并将溅镀后的连板半导体芯片上每个半导体芯片的外侧壁进行第二次切割形成单个半导体芯片，第二次切割的切割位置和第一次切割的切割位置相对应。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 立芯科技(昆山)有限公司 一种半导体芯片表面溅镀的方法

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