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【发明授权】一种基于干法镀的复合真空镀膜工艺方法_南通硅胜新材料科技有限公司_202410114021.X 

申请/专利权人:南通硅胜新材料科技有限公司

申请日:2024-01-27

公开(公告)日:2024-04-23

公开(公告)号:CN117626206B

主分类号:C23C14/35

分类号:C23C14/35;C23C14/02;C23C14/54;C23C18/12;C23C14/12;C23C14/16

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.23#授权;2024.03.19#实质审查的生效;2024.03.01#公开

摘要:本发明公开了一种基于干法镀的复合真空镀膜工艺方法,涉及真空镀膜技术领域,该工艺方法包括以下步骤:S1、将待镀膜基材进行打磨抛光与清洗去杂处理,再置于干燥箱保存;S2、利用滴膜法在待镀膜基材表面制备单层密排的纳米底膜;S3、将待镀膜基材放置于真空镀膜设备内部的磁控溅射台顶端;S4、先采用直流磁控溅射技术在待镀膜基材表面进行自修复膜镀膜,再利用共溅射技术进行周期多层膜镀膜,并实时监测表面镀膜的应力;S5、依据应力监测结果对真空镀膜设备进行参数调整,直至得到满足性能需求的复合镀膜停止镀膜。本发明有效解决涂层中可能存在的应力问题,为最终得到性能优越的复合镀膜提供了可行且高效的制备途径。

主权项:1.一种基于干法镀的复合真空镀膜工艺方法,其特征在于,该工艺方法包括以下步骤:S1、将待镀膜基材进行打磨抛光与清洗去杂处理,再置于干燥箱保存;S2、利用滴膜法在所述待镀膜基材表面制备单层密排的纳米底膜;S3、将所述待镀膜基材放置于真空镀膜设备内部的磁控溅射台顶端;S4、先采用直流磁控溅射技术在所述待镀膜基材表面进行自修复膜镀膜,再利用共溅射技术进行周期多层膜镀膜,并实时监测表面镀膜的应力;S5、依据应力监测结果对所述真空镀膜设备进行参数调整,直至得到满足性能需求的复合镀膜停止镀膜,取出进行后处理得到最终的镀膜基材;所述先采用直流磁控溅射技术在所述待镀膜基材表面进行自修复膜镀膜,再利用共溅射技术进行周期多层膜镀膜,并实时监测表面镀膜的应力包括以下步骤:S41、预先配制以铬作为基础载体,且具备自修复能力的自修复涂料;S42、将所述自修复涂料作为自修复靶材,利用直流磁控溅射技术将所述自修复涂料涂覆至所述待镀膜基材的表面,沉积后形成自修复膜;S43、将金属镍与金属铬分别作为两种镀膜靶材,利用共溅射技术对所述待镀膜基材的表面进行周期多层镀膜,沉积后形成周期多层膜;S44、利用应力监测设备对所述待镀膜基材的镀膜过程进行实时监测,计算不同时间下表面镀膜的应力,并反馈至所述真空镀膜设备的控制器;所述预先配制以铬作为基础载体,且具备自修复能力的自修复涂料包括以下步骤:S411、选取摩尔比为2:1的尿素与甲醛溶液加入反应容器中,添加三乙醇胺将pH值调节为8-9,并在70℃环境下进行搅拌混匀得到预聚体溶液;S412、将质量比为5:5:0.2的聚氨酯丙烯酸酯、1,6-六羟基己烯以及光引发剂1173加入所述预聚体溶液中,进行乳化反应直至完全混匀,再加入稀盐酸将pH值调节为3-4,缓慢升温至60℃后进行静置;S413、提取所述反应容器内底部沉淀的固体物质,进行洗涤过滤与干燥后得到白色微胶囊粉末,作为自修复粉;S414、将质量比为10:6:3:0.2的金属铬、环氧树脂、稀释剂及光引发剂进行超声混合,再加入5%的自修复粉混匀得到自修复涂料;所述利用应力监测设备对所述待镀膜基材的镀膜过程进行实时监测,计算不同时间下表面镀膜的应力,并反馈至所述真空镀膜设备的控制器包括以下步骤:S441、通过测量所述待镀膜基材的横向长度与最大形变高度计算镀膜前所述待镀膜基材初始曲率半径,并测量所述待镀膜基材的初始厚度;S442、实时监测所述待镀膜基材表面镀膜过程中的实时形变高度计算镀膜实时曲率半径,以及镀膜后所述待镀膜基材表面镀膜的实时厚度;S443、利用应力计算公式计算所述待镀膜基材表面镀膜的实时镀膜应力,所述应力计算公式为: ;式中,σ表示实时镀膜应力; R s 表示实时曲率半径; R 0 表示初始曲率半径; V表示泊松比; E表示待镀膜基材的弹性模量; t 0 表示待镀膜基材的初始厚度; t s 表示镀膜的实时厚度;S444、将实时测量得到的所述实时镀膜应力反馈至所述真空镀膜设备的控制器,用于判断当前镀膜的应力是否满足性能需求;所述依据应力监测结果对所述真空镀膜设备进行参数调整,直至得到满足性能需求的复合镀膜停止镀膜,取出进行后处理得到最终的镀膜基材包括以下步骤:S51、预先设定应力阈值、变化率阈值以及参数调整规则,按照所述参数调整规则将所述实时镀膜应力及其实时变化率分别与所述应力阈值与所述变化率阈值进行对比,依据对比结果对所述真空镀膜设备进行参数调整;S52、将性能需求分解为安全应力需求、镀膜厚度需求及表面光滑度需求,同时满足三个需求的所述待镀膜基材作为合格基材,停止镀膜;S53、从所述真空镀膜设备中取出所述待镀膜基材,进行基材的后处理,得到最终的镀膜基材。

全文数据:

权利要求:

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