申请/专利权人：强茂股份有限公司

申请日：2023-01-31

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN117917778A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L27/07;H01L21/82;H01L29/78;H01L29/866

优先权：["20221020 US 18/048,440"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.23#公开

摘要：本发明公开一种碳化硅金属氧化物半导体场效晶体管及形成碳化硅金属氧化物半导体场效晶体管的制造方法。碳化硅金属氧化物半导体场效晶体管包括主动区域及环绕主动区域的周边区域，碳化硅金属氧化物半导体场效晶体管包括半导体基板、外延层、场氧化层、多晶硅层、介电层以及金属接触层。半导体基板具有碳化硅层，外延层设置在半导体基板上且外延层具有掺杂层。多晶硅层设置在所述氧化层上，多晶硅层在周边区域具有多个P型重掺杂区及多个N型重掺杂区，多个P型重掺杂区及多个N型重掺杂区交替排列设置以形成齐纳二极管。

主权项：1.一种碳化硅金属氧化物半导体场效晶体管，其特征在于，所述碳化硅金属氧化物半导体场效晶体管包含主动区域及环绕所述主动区域的周边区域，所述碳化硅金属氧化物半导体场效晶体管包含：半导体基板，所述半导体基板具有碳化硅层；外延层，其设置在所述半导体基板上，所述外延层在所述外延层的顶表面具有掺杂层；场氧化层，其设置于所述外延层上；多晶硅层，其设置在所述场氧化层上，所述多晶硅层在所述周边区域具有多个P型重掺杂区及多个N型重掺杂区，且所述多个P型重掺杂区及所述多个N型重掺杂区交替排列设置以形成齐纳二极管；介电层，其覆盖所述多晶硅层，所述介电层在所述主动区域具有第一接触孔及在所述周边区域具有第二接触孔；以及金属接触层，包含源极金属及栅极金属，所述源极金属通过所述第一接触孔电性连接所述掺杂层，所述源极金属及所述栅极金属通过所述第二接触孔电性连接所述齐纳二极管。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 强茂股份有限公司 碳化硅金属氧化物半导体场效晶体管及其制造方法

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