申请/专利权人：北极星特许集团有限责任公司

申请日：2020-06-01

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN112397510B

主分类号：H10B12/00

分类号：H10B12/00

优先权：["20190813 US 16/539,212"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2023.09.26#专利申请权的转移;2021.03.12#实质审查的生效;2021.02.23#公开

摘要：本申请涉及集成晶体管和形成集成晶体管的方法。一些实施例包含一种集成装置，所述集成装置具有位于半导体基底的第一区域之上的第一晶体管栅极，并且具有位于所述半导体基底的第二区域之上的第二晶体管栅极。第一侧壁间隔件沿所述第一晶体管栅极的侧壁。所述第一侧壁间隔件包含SiBNO，其中所述化学式列出了主要成分而不是具体的化学计量。所述第一侧壁间隔件具有第一厚度。第二侧壁间隔件沿所述第二晶体管栅极的侧壁。所述第二侧壁间隔件具有小于所述第一厚度的第二厚度。第一源极漏极区域位于所述半导体基底内并且可操作地紧邻所述第一晶体管栅极。第二源极漏极区域位于所述半导体基底内并且可操作地紧邻所述第二晶体管栅极。一些实施例包含形成集成装置的方法。

主权项：1.一种形成集成装置的方法，所述方法包括：在半导体基底的第一区域之上形成第一晶体管栅极，并且在所述半导体基底的第二区域之上形成第二晶体管栅极；形成跨所述半导体基底的所述第一区域和所述第二区域延伸的多层组合件，所述多层组合件的第一部分跨所述第一区域并且位于所述第一晶体管栅极之上且沿着所述第一晶体管栅极的侧壁延伸，并且所述多层组合件的第二部分跨所述第二区域并且位于所述第二晶体管栅极之上且沿着所述第二晶体管栅极的侧壁延伸；在所述多层组合件的所述第一部分之上形成保护材料，同时使所述多层组合件的所述第二部分暴露；从暴露的第二部分移除所述多层组合件的外层以使所述多层组合件的所述第二部分减薄；各向异性地蚀刻所述多层组合件的所述第一部分以沿所述第一晶体管栅极形成第一侧壁间隔件；各向异性地蚀刻所述多层组合件的经过减薄的第二部分以沿所述第二晶体管栅极形成第二侧壁间隔件；在将第一源极漏极区域注入到所述半导体基底的所述第一区域中期间，将所述第一侧壁间隔件和所述第一晶体管栅极用作掩模，所述第一源极漏极区域通过所述第一晶体管栅极以选通方式彼此耦接；以及在将第二源极漏极区域注入到所述半导体基底的所述第二区域中期间，将所述第二侧壁间隔件和所述第二晶体管栅极用作掩模，所述第二源极漏极区域通过所述第二晶体管栅极以选通方式彼此耦接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北极星特许集团有限责任公司 集成晶体管和形成集成晶体管的方法

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