申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请日：2022-10-21

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN117917750A

主分类号：H01L21/033

分类号：H01L21/033

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.23#公开

摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成第一材料层；在所述第一材料层上形成若干第一掩膜结构；形成位于部分第一掩膜结构顶部表面和侧壁表面的图形化结构，所述图形化结构的宽度大于第一掩膜结构的宽度；以所述第一掩膜结构和图形化结构为掩膜，刻蚀所述第一材料层，以形成若干第二芯轴结构；在各第二芯轴结构侧壁形成第二侧墙结构；在形成第二侧墙结构之后，去除所述第二芯轴结构。所述半导体结构的形成方法提升了半导体器件的尺寸、图案的灵活性。

主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一材料层；在所述第一材料层上形成若干第一掩膜结构；形成位于部分所述第一掩膜结构顶部表面和侧壁表面的图形化结构，所述图形化结构的宽度大于第一掩膜结构的宽度；以所述第一掩膜结构和图形化结构为掩膜，刻蚀所述第一材料层，以形成若干第二芯轴结构；在各所述第二芯轴结构侧壁形成第二侧墙结构；在形成所述第二侧墙结构之后，去除所述第二芯轴结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构的形成方法

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