申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2021-07-26

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN113629006B

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2021.11.26#实质审查的生效;2021.11.09#公开

摘要：本发明提供了一种形成铜结构的方法，包括：提供半导体结构，半导体结构包括至少一个待填充的孔洞或沟槽；在孔洞或沟槽中形成导电薄膜或导电种子层；以导电薄膜或导电种子层为阴极，采用脉冲电镀沉积方法在孔洞或沟槽中形成铜结构，其中，脉冲电镀沉积方法中使用的脉冲包括第一期脉冲与第二期脉冲，第一期脉冲包括多个第一正电脉冲和多个负电脉冲，多个第一正电脉冲的电功依序逐渐递减，第二期脉冲包括多个第二正电脉冲，多个第二正电脉冲的电功相同，以改善容易形成空洞以及很难在小尺寸沟槽和通孔中形成纳米孪晶铜的问题，从而获得从底部到顶部的纳米孪晶铜结构。

主权项：1.一种形成铜结构的方法，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括至少一个待填充的孔洞或沟槽；在所述孔洞或所述沟槽中形成导电薄膜或导电种子层；以所述导电薄膜或所述导电种子层为阴极，采用脉冲电镀沉积方法在所述孔洞或所述沟槽中形成铜结构，其中，所述脉冲电镀沉积方法中使用的脉冲包括第一期脉冲与第二期脉冲，所述第一期脉冲包括多个第一正电脉冲和多个负电脉冲，所述多个第一正电脉冲的电功依序逐渐递减，所述多个负电脉冲的电功依序逐渐递减，所述第二期脉冲包括多个第二正电脉冲，所述多个第二正电脉冲的电功相同；其中，所述第一正电脉冲和所述负电脉冲交替设置，且所述第一期脉冲中的任一所述负电脉冲的电功小于任一所述第一正电脉冲的电功。

全文数据：

权利要求：

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