申请/专利权人：哈尔滨工业大学

申请日：2022-08-22

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN115627457B

主分类号：C23C16/515

分类号：C23C16/515;C23C16/26;C23C16/02;C23C14/08;C23C14/48;C23C28/04

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2023.02.14#实质审查的生效;2023.01.20#公开

摘要：一种铜表面DLC膜层制备方法，本发明涉及一种铜表面DLC膜层制备方法。本发明的目的是为了解决现有技术中铜基体表面沉积DLC膜层结合力差、耐腐蚀性差的问题。本发明通过在铜基体表面引入适量的氧元素，采用高压脉冲的电离氧气，获得高能氧离子，轰击铜基体表面，达到氧注入铜基体和活化铜表面形成适量的氧化铜的效果。之后，进行氧与四甲基硅烷混合气体放电，沉积打底层，目的为了形成Cu‑O‑Si网链结构，提高了Cu与类金刚石膜层之间的结合力。本发明应用于DLC膜层制备领域。

主权项：1.一种铜表面DLC膜层制备方法，其特征在于该制备方法为：一、将预处理后的铜基材试样在有机溶剂中进行超声波清洗，干燥；二、将铜基材试样置于密闭腔室中，然后抽真空；三、将Ar通入到密闭腔室中，调整密闭腔室气压1-20Pa，密闭腔室与高压脉冲电源负极连接作为阴极，阳极安装在腔室内或在腔室一侧与高压脉冲电源正极连接，脉冲电压1000-10000V，占空比5-90％，空心阴极放电，进行等离子清洗，时间10-200min；四、在脉冲电压1000-10000V，占空比5-90％，密闭腔室气压1-15Pa的条件下，将O2与Ar通入到密闭腔室内，进行空心阴极放电，时间1-100min；五、在脉冲电压1000-10000V，占空比5-90％，密闭腔室气压3-15Pa的条件下，将前驱体气体通入密闭腔室，进行空心阴极放电沉积，沉积含氧过渡层，沉积时间1-100min；六、在脉冲电压1000-10000V，占空比5-90％的条件下，向密闭腔室内通入工作气体A进行空心阴极放电，沉积Si-DLC层，沉积10-30min，然后再通入工作气体B进行空心阴极放电，沉积DLC层，沉积10-30min，采用工作气体A和B交替进行空心阴极放电沉积，总沉积时间为20-500min；其中最后一次放电沉积采用工作气体B进行沉积，所述工作气体A为流量比为1-5:1-2:1-6的Ar、气态的四甲基硅烷与乙炔；工作气体B为流量比为1-3:1-5的Ar与乙炔。

全文数据：

权利要求：

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