申请/专利权人：学校法人东海大学;株式会社新柯隆

申请日：2020-10-09

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN114514335B

主分类号：C23C14/24

分类号：C23C14/24;C23C14/54

优先权：["20191015 JP PCT/JP2019/040457"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2022.06.03#实质审查的生效;2022.05.17#公开

摘要：在成膜室2a的内部至少设置蒸镀材料和基板S，通过排气和或提供不改变所述蒸镀材料的组成的气体，将成膜室2a的内部的包含基板S的第1区域A设定为0.05Pa～100Pa的气氛，将成膜室2a的内部的包含蒸镀材料的第2区域B设定为0.05Pa以下的气氛，在上述的状态下，通过真空蒸镀法，在第2区域B中使蒸镀材料蒸发，在第1区域A中将蒸发出的蒸镀材料成膜在基板S上，并且在第1区域A中向基板S照射离子。

主权项：1.一种成膜方法，其中，在成膜室的内部至少设置蒸镀材料和被蒸镀物，所述蒸镀材料是SiO2，通过排气和或提供不改变所述蒸镀材料的组成的气体，将所述成膜室的内部的包含所述被蒸镀物的第1区域的气氛压力设定为0.05Pa～100Pa，将所述成膜室的内部的包含所述蒸镀材料的第2区域的气氛压力设定为0.05Pa以下，其中，第1区域的气氛压力与第2区域的气氛压力不相等，在上述的状态下，通过真空蒸镀法，在所述第2区域中使所述蒸镀材料蒸发，在所述第1区域中将蒸发出的所述蒸镀材料成膜在所述被蒸镀物上，并且在所述第1区域中向所述被蒸镀物照射离子。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 学校法人东海大学;株式会社新柯隆 成膜方法和成膜装置

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