申请/专利权人：南亚科技股份有限公司

申请日：2020-02-20

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN112802842B

主分类号：H10B12/00

分类号：H10B12/00

优先权：["20191113 US 16/683,229"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2021.06.01#实质审查的生效;2021.05.14#公开

摘要：本发明公开了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括第一半导体基板、第二半导体基板、耗尽层、隔离结构、第一栅极结构以及第二栅极结构。第二半导体基板位于第一半导体基板上。第一半导体基板与第二半导体基板分别具有第一主动区与重叠于第一主动区的第二主动区。耗尽层设置于第一主动区与第二主动区之间。隔离结构围绕第一主动区与第二主动区。第一栅极结构设置于第二主动区中。第二栅极结构设置于第二主动区中。第二主动区具有位于第一栅极结构与第二栅极结构之间的部分。借此，本发明的半导体结构，可以改善半导体结构的效能。

主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包含：第一半导体基板与第二半导体基板，所述第二半导体基板位于所述第一半导体基板上，其中所述第一半导体基板具有第一主动区，所述第二半导体基板具有第二主动区，所述第二主动区与所述第一主动区重叠，其中所述第一主动区具有第一掺杂区与第二掺杂区，所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区的正上方，所述第二主动区具有第三掺杂区与第四掺杂区，所述第四掺杂区位于所述第三掺杂区的正上方，所述第四掺杂区的掺杂浓度高于所述第三掺杂区的掺杂浓度；耗尽层，设置于所述第一主动区与所述第二主动区之间；隔离结构，围绕所述第一主动区与所述第二主动区；第一栅极结构，设置于所述第二主动区中；以及第二栅极结构，设置于所述第二主动区中，其中所述第二主动区具有一部分，所述一部分位于所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间。

全文数据：

权利要求：

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