申请/专利权人：LT金属株式会社

申请日：2022-09-16

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN115925414B

主分类号：C04B35/495

分类号：C04B35/495;C04B35/622;C04B35/645;C23C14/08;C23C14/34;H01L29/786

优先权：["20211006 KR 10-2021-0132489"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2023.04.25#实质审查的生效;2023.04.07#公开

摘要：本发明涉及低反射、耐化学性及耐热性优秀的氧化钼基烧结体、使用该烧结体的薄膜、包含该薄膜的薄膜晶体管及显示装置。

主权项：1.一种氧化物烧结体，其特征在于，包含：氧化钼M1，包含MoO2和MoO3，在上述MoO2及MoO3中，MoO2的含量为50重量百分比至90重量百分比，MoO3的含量为10重量百分比至50重量百分比；第一金属氧化物M2，包含选自由Nb、Ta、Zr、Ti、Sn及W组成的组中的一种以上的第一元素；第二金属氧化物M3，包含选自由Ga、Si及Zn组成的组中的一种以上的第二元素；以及选自由Mo、Ti、Cr、W及Cu组成的组中的一种以上的金属M4，相对于相应烧结体的总重量，至少包含60重量百分比以上的氧化钼M1；所述氧化钼M1与所述第一金属氧化物M2的重量百分比的比例MoO2+MoO3+M2MoO2+MoO3为1.23%至1.38%，并且所述氧化钼M1与所述第二金属氧化物M3的重量百分比的比例MoO2+MoO3+M3MoO2+MoO3为1.01%至1.08%。

全文数据：

权利要求：

百度查询： LT金属株式会社 氧化钼基烧结体、使用该烧结体的薄膜、包含该薄膜的薄膜晶体管及显示装置

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