申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

申请日：2023-03-14

公开（公告）日：2023-06-23

公开（公告）号：CN116274189A

主分类号：B08B9/032

分类号：B08B9/032;H01L21/67;H01L21/66;H01L21/762;B08B9/035

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.07.11#实质审查的生效;2023.06.23#公开

摘要：本发明提供一种改善TEOS气体管路结晶问题的方法，所述方法包括：在于晶圆表面完成沉积工艺后，先向TEOS气体管路通入清洗气体，再对腔体进行抽真空，多次循环上述过程以去除所述TEOS气体管路的颗粒，达到改善所述TEOS气体管路的结晶累积的目的，其中，所述TEOS气体管路与所述腔体连接。通过本发明解决了以现有的方法无法有效改善TEOS气体管路结晶现象的问题。

主权项：1.一种改善TEOS气体管路结晶问题的方法，其特征在于，所述方法包括：在于晶圆表面完成沉积工艺后，先向TEOS气体管路通入清洗气体，再对腔体进行抽真空，多次循环上述过程以去除所述TEOS气体管路的颗粒，达到改善所述TEOS气体管路的结晶累积的目的，其中，所述TEOS气体管路与所述腔体连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 改善TEOS气体管路结晶问题的方法

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