申请/专利权人：天津大学青岛海洋技术研究院

申请日：2018-09-27

公开（公告）日：2023-07-14

公开（公告）号：CN110957993B

主分类号：H03H11/16

分类号：H03H11/16

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.07.14#授权;2020.05.01#实质审查的生效;2020.04.03#公开

摘要：一种基于SiGe工艺的太赫兹全360°反射型移相器，通过对反射型移相器结构的调整，提升反射型移相器的插入损耗和移相范围性能，获得功耗、插入损耗均衡的全360°移相范围的反射型移相器，此结构移相器可以应用于毫米波太赫兹相控阵系统中。

主权项：1.一种基于SiGe工艺的太赫兹全360°反射型移相器，其特征在于：基于SiGe工艺，采用反射型移相器与0°180°变相器结合的方式，实现太赫兹全360°移相器；具体结构为：单端输入信号经过巴伦T1转变为差分信号并输入0°180°变相器；0°180°变相器由跨导晶体管M1和M2、以及差分晶体管M3~M6组成；T1输出的差分信号输入跨导晶体管M1和M2的基极，经放大后由集电极输出进入差分晶体管M3~M6的发射极；VS作为差分晶体管的控制信号，配合反相器控制M3~M6的开关状态；M3~M6的集电极以交叉结构连接至变压器T2并输出至随后的3dB耦合器输入端；在这个过程中，VS作为控制信号，在处于高电平或低电平时将分别产生0°和180°两个状态；反射型移相器结构由3dB耦合器和负载π型网络两部分；3dB耦合器的隔离端和直通端分别连接由C1、C2、L1和C3、C4、L2组成的π型负载网络；其中C1~C4为可变电容，通过电压控制其容值实现负载网络的阻抗变化，实现反射型移相器的相位变化；最终，3dB耦合器隔离端为整个电路的输出。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 天津大学青岛海洋技术研究院 一种基于SiGe工艺的太赫兹全360°反射型移相器

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