申请/专利权人：西安邮电大学

申请日：2023-05-10

公开（公告）日：2023-09-12

公开（公告）号：CN116741801A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.09.29#实质审查的生效;2023.09.12#公开

摘要：本发明涉及基于双栅TFET的T型源区负电容异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法；解决现有双栅T型源区异质结TFETT‑source‑HJTFET亚阈值摆幅特性较为陡峭以及开态电流较低的技术问题；晶体管包括T型结构的源区、依次连接的沟道区、漏区、硅基外延层和衬底；沟道区上端中部横向设置有埋置槽；源区的小径段设置在埋置槽内；源区和沟道区的左右两侧均覆盖设置有高k栅氧化层，高k栅氧化层上设置有铁电层；源区上端设置有源极，漏区下方设置有漏极，左侧铁电层的左端和右侧铁电层的右端设置有栅极；源区为P型掺杂或N型掺杂，沟道区的掺杂类型与源区相同，漏区的掺杂类型与源区相反；源区采用Si1‑xGex制备，沟道区和漏区采用硅制备；本发明还提出晶体管的制备方法。

主权项：1.一种基于双栅TFET的T型源区负电容异质结隧穿场效应晶体管，其特征在于：包括T型结构的源区1以及从上至下依次连接的沟道区2、漏区3、硅基外延层10和衬底9；所述沟道区2上端中部横向设置有埋置槽，从而将沟道区2分为沟道区厚端和两个沟道区薄端，漏区3的厚度与沟道区厚端的厚度相等；所述源区1的小径段结构与埋置槽结构相适配，源区1的大径段厚度与沟道区厚端的厚度相等；所述源区1的小径段设置在埋置槽内；所述源区1和沟道区2的左右两侧均覆盖设置有高k栅氧化层4，左侧高k栅氧化层4的左端和右侧高k栅氧化层4的右端均设置有铁电层5；所述源区1上端设置有源极7，漏区3下方设置有漏极8，左侧铁电层5的左端和右侧铁电层5的右端均设置有栅极6；所述源区1为P型掺杂或N型掺杂，沟道区2的掺杂类型与源区1相同，漏区3的掺杂类型与源区1相反；所述源区1采用Si1-xGex制备，沟道区2和漏区3采用硅制备，从而在源区1和沟道区2之间形成Si1-xGexSi隧穿异质结，其中，x表示SiGe中的锗的含量，0＜x＜1。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安邮电大学 基于双栅TFET的T型源区负电容异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法

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