申请/专利权人：兰普半导体(深圳)有限公司

申请日：2023-05-11

公开（公告）日：2023-09-19

公开（公告）号：CN219718080U

主分类号：H02M1/08

分类号：H02M1/08;G01R19/175;H02M1/36;H02M1/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.09.19#授权

摘要：本实用新型实施例涉及一种谷底检测电路及设备，所述电路包括：控制模块、PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一三极管、第二三极管、第一二极管、第二二极管、电流源和第一电阻；通过控制模块输出控制信号，控制PMOS管为第一三极管提供驱动信号，控制信号控制第一NMOS管为第一三极管提供下拉关闭信号，控制信号控制第三NMOS管为第二三极管提供下拉关闭信号，得到达林顿管的开关结果；在第一三极管和第二三极管关闭器期间，通过第二NMOS管处于开启状态，将SW节点的电压变化经过第一三极管的结电容耦合和第二NMOS管的导通控制下，从ZVS节点为控制模块输出谷底检测信号，由此实现谷底检测的功能；由本方案，可以在不额外添加外围器件的基础上实现达林顿管谷底检测的功能，达到降低系统应用成本的技术效果。

主权项：1.一种谷底检测电路，其特征在于，包括：控制模块、PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一三极管、第二三极管、第一二极管、第二二极管、电流源和第一电阻；所述控制模块的第一输入端与所述PMOS管的源极连接至电源供电端，所述控制模块的第一输出端与所述PMOS管的栅极连接，第二输出端与所述第二NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极连接，第三输出端与所述第一NMOS管的栅极连接，第二输入端与所述第一二极管的正向输入端、所述第二二极管的反向输出端、所述电流源的一端和所述第二NMOS管的源极连接至ZVS节点，第四输出端与所述第一NMOS管的源极、所述第一二极管的反向输出端、所述第二二极管的正向输入端、所述电流源的另一端、第三NMOS管和所述第一电阻的一端连接至第一接地端；所述PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极、所述第二NMOS管的漏极和所述第一三极管的基极连接至BH节点；所述第一三极管的集电极与所述第二三极管的集电极连接至SW节点，所述第一三极管的发射极与所述第二三极管的基极和所述第三NMOS管的漏极连接至BL节点；所述第二三极管的发射极与所述第一电阻的另一端连接。

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