申请/专利权人：科磊股份有限公司

申请日：2018-08-29

公开（公告）日：2023-09-26

公开（公告）号：CN111052872B

主分类号：H05G2/00

分类号：H05G2/00

优先权：["20170830 US 62/551,785","20180826 US 16/112,762"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.09.26#授权;2020.08.18#实质审查的生效;2020.04.21#公开

摘要：本文中描述用于利用干净、硬性的X射线照射源的基于x射线的半导体计量的方法及系统。更具体来说，激光产生的等离子体光源产生具有在25,000到30,000电子伏特的范围中的能量的高亮度、硬性的x射线照射。为实现高亮度，将高度聚焦、极短持续时间的激光束聚焦到呈液态或固态的致密氙靶标上。经聚焦的激光脉冲与所述高密度氙靶标的相互作用引发等离子体。来自所述等离子体的辐射由收集光学器件收集且被引导到被测量样品。由于使用非金属靶标材料，因此所产生等离子体发射是相对干净的。等离子体室填充有氙气以进一步保护光学元件免受污染。在一些实施例中，从所述等离子体室所蒸发的氙被循环回到氙靶标产生器。

主权项：1.一种激光产生的等离子体光源，其包括：等离子体室，其包含所述等离子体室内的氙气流；氙靶标产生器，其在所述等离子体室中靶标位置处提供呈固态或液态的氙靶标序列；及一或多个脉冲激光源，其产生被引导到所述等离子体室中的所述靶标位置的激发光脉冲序列，其中所述激发光脉冲序列中的每一脉冲具有小于两皮秒的持续时间，其中所述激发光脉冲序列中的脉冲与所述氙靶标序列中的对应氙靶标的相互作用致使所述氙靶标离子化以形成等离子体，所述等离子体发射具有在大约25,000电子伏特到大约30,000电子伏特的范围中的能量的一定量的X射线照射光，其中所述X射线照射光能够用于照射被测量半导体样品。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 科磊股份有限公司 用于基于X射线的计量的明亮且干净的X射线源

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