申请/专利权人：上海航天测控通信研究所

申请日：2020-04-28

公开（公告）日：2023-10-13

公开（公告）号：CN111430459B

主分类号：H01L29/778

分类号：H01L29/778;H01L29/40;H01L29/423;H01L21/335

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.10.13#授权;2020.08.11#实质审查的生效;2020.07.17#公开

摘要：本发明公开了AlGaAsGaAs高电子迁移率晶体管，自下而上依次包括GaAs或锗衬底、若干层AlGaAsGaAs异质结、GaAs帽层、SiN钝化层、源电极、漏电极和栅电极，其中，栅鳍采用上下不同鳍宽的叠层结构，上层鳍宽较下层鳍宽窄；栅电极与若干层AlGaAsGaAs异质结的侧墙之间包括绝缘介质层，本发明提供的高电子迁移率晶体管采用三维叠层鳍式结构，使得不同鳍宽的栅极区域对器件沟道进行复合控制，相当于不同阈值器件的并联，施加栅极电压，器件跨导特性展宽，改善线性工作特性；在栅鳍的侧墙引入绝缘介质层，有效降低由于鳍式结构侧栅刻蚀表面引入的泄漏电流，降低器件的静态功耗，使器件的击穿电压得到提高。

主权项：1.多沟道叠层绝缘侧栅鳍式结构的AlGaAsGaAs高电子迁移率晶体管，自下而上依次包括GaAs或锗衬底、若干层AlGaAsGaAs异质结、GaAs帽层、SiN钝化层、源电极、漏电极和栅电极，所述AlGaAsGaAs异质结包括GaAs层和AlGaAs势垒层，且所述GaAs层靠近所述GaAs或锗衬底，所述源电极和所述漏电极分别位于所述SiN钝化层两侧的所述GaAs帽层上，所述栅电极位于所述源电极与所述漏电极中间且覆盖整个栅鳍，其特征在于：所述栅鳍采用上下不同鳍宽的叠层结构，上层鳍宽较下层鳍宽窄，所述上层鳍宽的范围为30～60nm，所述下层鳍宽的范围为50～100nm；所述栅电极与若干层所述AlGaAsGaAs异质结的侧墙之间还包括绝缘介质层；所述多沟道叠层绝缘侧栅鳍式结构的AlGaAsGaAs高电子迁移率晶体管还包括：两个场板结构，位于所述栅鳍两侧侧墙底端的台面上，且分别与所述栅电极两侧的底层金属相连。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海航天测控通信研究所 AlGaAs/GaAs高电子迁移率晶体管及制备方法

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