申请/专利权人：沃孚半导体公司

申请日：2018-08-21

公开（公告）日：2023-11-21

公开（公告）号：CN117096190A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/739;H01L29/423;H01L21/331;H01L21/336

优先权：["20170908 US 15/699,149"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.12.08#实质审查的生效;2023.11.21#公开

摘要：本申请涉及一种具有高DVDT能力的功率开关装置及制造这种装置的方法。功率开关装置包括具有有源区和非有源区的半导体层结构。有源区包括多个单位单元，并且非有源区包括在半导体层结构上的场绝缘层和与半导体层结构相对地在场绝缘层上的栅极焊盘。栅极绝缘图案设在有源区和场绝缘层之间的半导体层结构上，并且至少一个源极漏极触件被设为通过栅极焊盘和场绝缘层到达半导体层结构的体阱延伸部。

主权项：1.一种功率开关装置，包括：场绝缘层；半导体层结构，所述半导体层结构包括有源区和非有源区，所述有源区包括多个单位单元，以及所述非有源区包括具有第一导电类型的漂移区、在所述漂移区和所述场绝缘层之间的具有与第一导电类型相反的第二导电类型的阱区；与所述漂移区相对在所述场绝缘层上的栅极焊盘；在所述有源区和所述场绝缘层之间在所述半导体层结构上的栅极绝缘图案；在所述场绝缘层的中心和所述栅极绝缘图案之间在所述非有源区上的第一触件；在所述半导体层结构的所述有源区中的栅极沟槽，所述栅极沟槽包括在所述半导体层结构的顶表面下方的栅极指；以及在所述漂移区的底表面和所述阱区之间的具有第二导电类型的屏蔽图案，其中所述屏蔽图案延伸至在所述漂移区中的在所述栅极指的底表面以下的深度处。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 沃孚半导体公司 具有高DV/DT能力的功率开关装置及制造这种装置的方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD