申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2023-05-26

公开（公告）日：2023-12-05

公开（公告）号：CN117171066A

主分类号：G06F12/0877

分类号：G06F12/0877;G06F3/06

优先权：["20220602 US 63/348,459"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.12.05#公开

摘要：本申请涉及使用受害者高速缓存的行锤击缓解。行锤攻击利用存储器装置的非预期及不希望的副作用，其中存储器单元通过泄漏电荷在它们之间进行电相互作用，并且可能会改变原始存储器存取中未寻址的附近存储器行的内容。通过使用受害者高速缓存缓解行锤攻击。将数据写入到高速缓存的高速缓存行。将所述高速缓存的最近最少使用的高速缓存行写入到所述受害者高速缓存。

主权项：1.一种用于行锤击缓解的方法，其包括：将数据写入到第一高速缓存212的高速缓存行；及将最近最少使用的高速缓存行从所述第一高速缓存212写入到第二高速缓存214的高速缓存行，其中执行将所述最近最少使用的高速缓存行从所述第一高速缓存212写入到所述第二高速缓存214，作为行锤击缓解操作的一部分。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 使用受害者高速缓存的行锤击缓解

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