申请/专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院

申请日：2020-09-15

公开（公告）日：2023-12-05

公开（公告）号：CN112098501B

主分类号：G01N27/622

分类号：G01N27/622;G01N1/24

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.12.05#授权;2021.01.05#实质审查的生效;2020.12.18#公开

摘要：本发明涉及一种面向高毒性VOCs混合物现场检测的nafion‑FAIMS检测装置及方法。该装置包括nafion管和FAIMS芯片。nafion管包括内管和外管。内管的内腔为待测样品流动腔体。内管与外管之间的腔体为吹扫气腔体。内管的左右两端分别设有进样口与出样口。外管上安装有吹扫气入口与吹扫气出口。FAIMS芯片包括离子检测腔体、腔体入口和腔体出口。离子检测腔体包括上基板、下基板、离子源、上电极、偏转电极、下电极和检测电极。出样口与腔体入口相连，腔体出口与吹扫气入口相连。本发明不仅采用FAIMS技术实现了高毒性VOCs的快速检测，还利用nafion管快速滤除现场环境中大量的含羟基化合干扰物，以避免含羟基化合物对FAIMS检测精度的影响，从而实现了现场免前处理的高毒性VOCs的快速、准确检测。

主权项：1.一种面向高毒性VOCs混合物现场检测的nafion-FAIMS检测装置，其特征在于：包括nafion管和FAIMS芯片；所述nafion管包括同轴设置的内管和外管；所述内管的内腔为待测样品流动腔体；所述内管与外管之间的腔体为吹扫气腔体；所述内管的左右两端分别设有进样口与出样口；所述外管上安装有吹扫气入口与吹扫气出口；所述FAIMS芯片包括离子检测腔体和分别设置在离子检测腔体左右两端的离子检测腔体入口和离子检测腔体出口；所述离子检测腔体包括自上向下依次设置的上基板与下基板、设置在上基板左端下方的离子源、设置在上基板中段下方的上电极、设置在上基板右端下方的偏转电极、设置在下基板中段上方且与上电极对应设置的下电极以及设置在下基板右端上方且与偏转电极对应设置的检测电极；所述离子检测腔体的前端开设有干净气体入口；所述出样口与离子检测腔体入口相连，所述离子检测腔体出口与吹扫气入口相连。

全文数据：

权利要求：

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